وحدة بصرية مصغرة أحادية القناة ذات 10 دبابيس

سمات

• [إذا لم تكن قوائم الدعم موجودة] حجم صغير، موثوقية عالية، غلاف معدني بالكامل، تصميم مضاد للاهتزاز
• [إذا لم تكن قوائم الدعم موجودة] يدعم سرعات تصل إلى 10.3125 جيجابت في الثانية مع توافق مع الإصدارات السابقة
• [إذا لم تكن قوائم الدعم موجودة] واجهة كهربائية ذات رأس توصيل ذي 10 دبابيس
• [إذا لم تكن قوائم الدعم موجودة] استهلاك منخفض للطاقة (<1 واط)
• نطاق واسع لدرجة حرارة التشغيل: من -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية

التطبيقات

• إيثرنت، SONET/SDH/FC
• مفاتيح كهربائية
• مصفوفات الرادار الرقمية
• نقل البيانات عبر اللوحة الخلفية الضوئية

نموذج

القنوات

الطول الموجي

معدل

طاقة الإرسال

حساسية الوصفة الطبية

هيكل الحزمة

درجة حرارة التشغيل

RM-03S10-31I

أحادي النمط

الألياف المزدوجة ثنائية الاتجاه

1310 نانومتر

1.25 جيجابت في الثانية

-5 إلى 2 ديسيبل ميلي واط

≤-19 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 1

-40 إلى +85 درجة مئوية

RM-6GS10-31I

1310 نانومتر

6.25 جيجابت في الثانية

-5 إلى 2 ديسيبل ميلي واط

≤-14 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 1

RM-10GS10-31I

1310 نانومتر

10.3125 جيجابت في الثانية

-5 إلى 2 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 1

RM-10GS10-55I

1310 نانومتر

3.125 جيجابت في الثانية

-5 إلى 2 ديسيبل ميلي واط

≤-16 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 1

RM-6GC10-XXI

CWDM

الألياف المزدوجة ثنائية الاتجاه

ITU-T G.694.2

6.25 جيجابت في الثانية

-5 إلى 3 ديسيبل ميلي واط

≤-14 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 1

RM-10GC10-XXI

10.3125 جيجابت في الثانية

-5 إلى 3 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 1

RM-03M05-85I

ثنائي الاتجاه متعدد الأوضاع ثنائي الألياف

850 نانومتر

1.25 جيجابت في الثانية

-5 إلى 1 ديسيبل ميلي واط

≤-18 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 2

RM-6GM03-85I

850 نانومتر

6.25 جيجابت في الثانية

-5 إلى 1 ديسيبل ميلي واط

≤-14 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 2

RM-10GM03-85I

850 نانومتر

10.3125 جيجابت في الثانية

-5 إلى 1 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 2

RM-10G04-85M5531S-I

ألياف ثنائية الاتجاه هجينة أحادية/متعددة الأنماط

850 نانومتر T

1550/1330 نانومتر R

10.3125 جيجابت في الثانية T

2.5 جيجابت في الثانية R

-5 إلى 2 ديسيبل ميلي واط

≤-18 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 2

RM-10G-31S85M-I

1310 نانومتر T

8 50 نانومتر R

10.3125 جيجابت في الثانية

-5 إلى 3 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 2

RM-10GS10-2733I

أحادي النمط أحادي الألياف ثنائي الاتجاه

1270 نانومتر T

1330 نانومتر R

10.3125 جيجابت في الثانية

-3 إلى 5 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 3

RM-10GS10-3327I

1330 نانومتر T

1270 نانومتر R

10.3125 جيجابت في الثانية

-3 إلى 5 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 3

RM-10GS10-5531I

1550 نانومتر T

1310 نانومتر R

10.3125 جيجابت في الثانية

-3 إلى 5 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 3

RM-10GS10-3155I

1310 نانومتر T

1550 نانومتر R

10.3125 جيجابت في الثانية

-3 إلى 5 ديسيبل ميلي واط

≤-11 ديسيبل ميلي واط

الهيكل 3